美日大厂连手追赶，南韩三星与SK海力士(SK Hynix)2014年首季NAND Flash(闪存)全球市占率近两年来首度跌破五成。

市调机构iSuppli数据显示，南韩三星与SK海力士1至3月NAND Flash合计市占率下滑至48%，为自2012年第一季(48.5%)之后首度低于50%。NAND Flash被广泛应用在数据存储设备，产品包括智能型手机、数字相机与MP3随身听的存储卡等。

就个别公司而言，三星市占率37.4%，虽然领先东芝(Toshiba)的31.9%，但两者差距自前季的7.2个百分点缩小至5.5个百分点。

另外，美光(Micron)在吃下尔必达(Elpida Memory)后，市占率增加至20.1%，跃居全球第三大厂，而海力士则以10.6%位居第四。

南韩联合通讯社(Yonhap)报导指出，三星在大陆西安的厂房已于5月开始投产，本季应该有机会将领先差距再度拉大。