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未来三年间 SK海力士无锡厂投资25亿美元

发布日期:2014-8-15

 中国大陆全力培植半导体产业,不只传出当地业者有意竞标全球第九大晶圆厂Dongbu HiTek,南韩存储器芯片大厂SK海力士(SK Hynix)也将加值型半导体产线大量移往中国,打算在中国生产、封装、测试DRAM产品。

韩媒报导,SK海力士将加值产品如DDR4 DRAM和NAND Flash,大量转往中国无锡厂生产,外包给韩国供应商的数量骤减。未来三年间,该公司将在无锡厂投资25亿美元,上个月底执行长Park Seong-wuk拜会中国官员,宣布将先行投资1亿美元于DRAM产线,提升奈米制程标准。

随着加值型DRAM产量提升,SK海力士也持续投资中国封装产线。业内人士称,目前正在扩充重庆厂NAND Flash产能,随着无锡厂产量快速增加,估计未来将会投资DRAM封测厂。

韩联社13日报导,韩国东部集团(Dongbu Gruop)爆发财务危机,打算出售旗下晶圆厂Dongbu HiTek筹资。消息人士透露,除了三家金融机构之外,另有两家中国业者私下表达收购意愿,想藉此取得相关技术。东部集团拟以2,000亿韩圆(1.95亿美元)的价格出售持有的37% Dongbu HiTek股权。

Dongbu HiTek成立于1997年,主力产品包括CMOS影像传感器(CMOS Image Sensor)、电源管理IC、数位音讯放大芯片等。韩国业者如三星电子、SK海力士都未表达收购意愿,反倒是中国业者态度积极。北京当局近来大力发展半导体,预计投入1,200亿元人民币壮大此一产业。

日本经济新闻社(Nihon Keizai Shinbun)10日报导,大陆政府已将半导体列为下一个积极扶植的产业,务求提高半导体自制比率。继大陆最大晶圆代工厂中芯国际(SMIC)进军智能型手机芯片后,大陆政府将再强制整并当地第二、三大型集成电路(LSI)开发商。

全球手机芯片龙头厂高通7月3日宣布,将与中国大陆最大晶圆代工厂中芯国际(SMIC)合作生产旗下28奈米制程骁龙(Snapdragon)处理器,恐冲击台积电订单。对高通而言,与中芯合作除了可确保未来产能无虞外,最可能应是希望借以改善与大陆的政商关系,毕竟高通才遭大陆监管单位指控滥用市场独占地位收取高额权利金,可能面临超过10亿美元的罚金。

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