近日，美光科技公司（MU）管理层在出席RBC资本市场关于技术、互联网、TMT行业的会议时，接受了RBC资本市场的采访。采访不仅涉及最近热点的美光股票回购话题，美光投资关系部高层伊万•唐纳森（Ivan Donaldson）也回应了关于在日本DRAM产线资本投入的问题。另外，唐纳森还谈及本公司DRAM和Flash产品的目前的状态和前景。

针对股票回购计划，唐纳森表示，美光一直采用积极的自由现金流和债务平衡管理策略来处理发行的可转债。在2014年，这些措施减少了相当于1亿美元股票的稀释作用，进步巨大。此次股票回购计划，证明了这种策略背后的逻辑，再一次表明公司在资本配置策略方向。美光需要更多措施来管理可转债，但是不会取代现有措施。

所以，回购计划对美光来说是一个正常的资本运作，对于公司财务模型演变以及股票稀释管理来说，也意味着重大进步。在推出回购计划的同时，仍然监控可转债的状态变化。

近日有媒体报道美光计划投入1000亿日元（折合8.7亿美元）对日本的DRAM产线进行结构升级。对此问题，唐纳森没有正面回应。但同时指出，根据资本支出计划，美光今年的资本支出总额是36-40亿美元，DRAM方面约占一半。在日本进行8亿美元的投资不会让人感到震惊。正如此前报道所示，在日本DRAM产线的投资只是技术投资，用于改造和升级当前的25nm和未来的20nm制程工艺。

关于DRAM，唐纳森认为，PC市场已经相当稳定，已经不是一个快速增长的市场，增长多或少几个百分点并不能显著推动DRAM业务发展。而在这样一个周期性行业内，真正的需求来源于服务器领域。在服务器以及移动市场，最大的挑战不在于数量而在于DRAM容量的增长，美光预计单位服务器用DRAM容量将增加30-40%。

数据中心是未来的发展趋势，规模将越来越大，类似于基础设施建设。目前仍人处于早期的发展阶段，未来前景良好。

移动业务继续保持增长。但驱动增长的不仅仅是智能手机的数量，还包括增值服务以及新兴市场需求对平均DRAM容量的提升。中国市场毫无疑问是一个巨大的机会。未来，美光会更加努力为中高端客户以及像中国这样的新兴市场提供更全面的产品种类。

在Flash产品方面，唐纳森指出，在未来的几年内，消费级和企业级用闪存的渗透率的提高是NAND业务关键的增长点。但是移动市场，虽然规模依然庞大，但是增速在减缓，无法比拟历史高峰期。所以，移动业务未来的发展在于更高的存储密度上。iPhone 6的闪存容量配置无疑能够刺激业界平均容量提升。新兴市场移动产品在硬件规格方面的竞争，加速提升NAND和DRAM的容量需求，对美光来说也是利好。

正如美光在其财报电话会议中指出的一样，除了在某些特定情况下的特定用户，DRAM价格总体保持稳定，展望Q4，业务依然良好。

对于普遍关心的2015财年的资本支出问题，唐纳森指出，大约有30%的资本支出是与供给无关的。这些支出主要用于新的存储产品研发或者后端封测方面，不会影响市场的实际供应。资本支出剩下的部分集中应用类似于DRAM 25nm和20nm工艺的进步方面的技术投资，但并不进行DRAM产能的提升。

Flash方面，2015财年将会基本结束在16nm节点上的投资，并将主要精力投放在3D技术的开发上面，预计在2015下半个财年实现3D NAND产品的大规模商用。与DRAM不同，目前NAND产能将继续增加。在未来一两年内开始向3D NAND 产品的过渡，成为技术制程路线图上的关键节点。届时，可以进一步观察用户需求变化以及Flash业务的资本回报情况。