在20号下午的投资者网络会议上，英特尔透露其将在明年下半年提供基于3D NAND Flash的SSD产品，技术则是来自该公司与美光(Micron)闪存合资企业。据悉，其能够在单个MLC核心“平面”(2D)上堆叠32层、共计256Gb(32GB)的容量。如果采用3-bit(TLC)方案，那么每单元的容量还可以进一步提升至384Gb(48GB)。

英特尔非易失性存储事业部总经理兼高级副总裁Rob Crooke表示：3D NAND Flash有望在接下来的几年时间里催生10TB级别的SSD产品，甚至封装厚度只有2mm的1TB存储(非常适合移动设备)。

Crooke指出，3D技术的最大特色是可以在成本上有重大突破，不过英特尔可能不会亲自制造3D NAND Flash——即使该公司有能力，但也只会在觉得有意义的时候才会自行生产。