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三星推出20nm工艺8Gb LPDDR4

发布日期:2015-1-5

         据外媒报道,三星电子日前宣布,已经成功量产了全球第一个8Gb(1GB)容量的新一代LPDDR4移动内存颗粒,新一代LDDR4采用了三星最新的20nm制程工艺,节能方面比LPDDR3高出40%。

三星表示,LPDDR4内存颗粒在去年就已经量产,不过当时采用的是2xnm工艺,现在生产的8Gb(1GB)新代LPDDR4内存颗粒采用的是20nm工 艺。这种新型颗粒的频率达3200MHz,相比于2xnm 4Gb(512MB) LPDDR3内存颗粒不仅容量翻了一番,性能也提高了一倍。
另外,由于LPDDR4内存颗粒的电压降至1.1V,侧更为节能。同样是2GB容量的芯片,LPDDR4封装而来的就要比LPDDR3封装而来的节能最多 40%。同时三星在提交的LPDDR4标准规范中,还纳入了低电压摆幅中断逻辑(LVSTL) I/O界面技术。
三星称,新一代LPDDR4移动内存颗粒还可以支持4K超高清视频的录制和播放,以及2000+万像素照片的连拍。目前三星已经开始出货分别基于8Gb、4Gb颗粒的2GB、3GB LPDDR4内存芯片,4GB LPDDR4则会在2015年初交付。
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