东芝宣布推出48层第二代3D NAND Flash，并开始送样出货。东芝表示，48层的第二代3D NAND可增强写入的可靠性/擦除的耐力和提升写入速度，适用与不同要求的存储应用中，尤其是在固态硬盘（SSD）产品上。
继东芝宣布此消息之后，SanDisk也宣布公司已经成功开发了48层的第二代3D NAND，也被称为BiCS2，将按计划在2015年下半年日本四日市的合资工厂试产。SanDisk计划将第二代3D NAND技术广泛应用到移动产品以及扩展应用到企业固态硬盘产品上。
SanDisk和东芝在NAND Flash技术上一直是合作伙伴，负责SanDisk NAND 闪存技术开发的Siva Sivaram 博士表示：“我们非常高兴与我们的合作伙伴东芝开发48层第二代3D NAND，我们以在第一代3D NAND研发中所获得的技术为基础，使我们能够开发更有盈利优势的第二代3D NAND，为我们的客户提供更有竞争力的存储解决方案。” 
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SanDisk、东芝宣布48层3D NAND将会在今年下半年量产
