据报导,三星半导体部门资深副总裁Jeeho Baek周四表示,今年在存储器类半导体投资规模将比照去年,估计最高将达100亿美元之谱。Baek指出,DRAM与NAND存储器产出比重规划为7比3,但会视市场需求作弹性调整。
由于看好未来需求,三星对存储器项目的投资一点都不手软,其位在南韩华城,也是三星目前存储器芯片的主要生产基地,年底还有一座新厂将准备投产。
另外,三星日前也宣布加码在南韩平泽(Pyeongtaek)盖新厂区,总投资规模来到25.6兆韩元。新工厂预计下个月动工,主要也是生产DRAM存储器,但视市况,也可生产处理器芯片。
报导还指出,三星也打算增产3D V-NAND存储器,搭载3D V-NAND的固态硬盘预计下半年就会商业化。据IHS调查,三星去年SSD营收40亿美元,是第二名英特尔的两倍多。