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SK海力士推出自主研发的UFS2.0解决方案

发布日期:2015-7-10

         7月9日消息,SK海力士宣布推出自主研发的UFS 2.0解决方案,容量最高64GB,还有16GB和32GB,是基于自家16nm NAND Flash和自主研发的固件和控制芯片。UFS 2.0是移动设备下一代的嵌入式存储方案,相较于目前eMMC解决方案,UFS 2.0在读写速度、功耗、容量方面有更大的优势。

在传输性能上,UFS 2.0有两个版本,HS-G2的理论带宽就有5.8Gbps,也就是超过了740MB/s,HS-G3更是翻番到11.6Gbps,接近了1.5GB/s,均有两个传输信道。High-Speed Gear 3 接口和双数据通道,使UFS2.0在传输性能上有一个突破性的飞跃。
SK海力士推出的UFS 2.0是基于High-Speed Gear 3接口和双数据信道,连续读写速度可以达到780MB/s和160MB/s,随机读写速度分别是32,000 IOPS和17000 IOPS,相较于最新的eMMC 5.1的读取速度高出三倍。SK海力士希望随着UFS2.0规模化量产,能加快应用到智能型手机上,以提高产品性能表现。
据IHS预计,UFS在移动设备中尤其是在智能型手机上,首先从高端市场开始应用,目前三星Galaxy S6 / S6 Edge已采用UFS,未来将逐渐向中低端市场扩大,而UFS存储方案份额也将从今年的4%提升至2017年的23%,到2019年将达到49%,逐渐成为移动设备主流嵌入式存储方案。
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