美光科技（Micron）下半年加快20nm制程转换，由于良率表现较上一代25nm制程更佳，因此第3季开始在日本广岛厂及华亚科加快产能转换，预计明年第2季20nm占总DRAM产出比重就会超过5成。而美光20nm DRAM封装订单将全数交由力成代工，合作兴建的西安厂将明年第2季全面量产。

美光在日前分析师日中指出，20nm制程已经完成认证，第3季开始在日本广岛厂及华亚科加快产能转换及投片。以制程良率表现来看，20nm只花了上一代25nm三分之二的时间，就达到相同的良率水平，因此，美光将在第4季开始扩大20nm投片，其中华亚科的单月投片量将拉高到8万片。

根据美光的规划，今年第4季（美光2016年会计年度第1季）就会有20nmDRAM产能开出，明年第1季产能快速拉高，主要是受惠于华亚科的20nm DRAM放量出货。至于明年第2季20nm占其DRAM总产出比重就会超过50％。

再者，美光也决定再度进行DRAM制程微缩，预计2016年下半年，在日本广岛厂开始进行1Xnm的生产，以期拉近与竞争对手三星之间的技术差距。由于1XnmDRAM的制程难度更高，生产周期拉长，产能将会再度出现自然减损现象，所以美光也会投资扩充产能，以填补产能损失并维持总产能不变。

据了解，美光20nm DRAM的封装订单将集中下单力成，而力成与美光在大陆西安合资兴建的封装厂，今年第4季将完工，明年第1季试产、第2季全面量产，正好赶上美光20nm DRAM扩大出货的时间点。据了解，西安厂明年的DRAM封装总量将超过1亿颗。受惠于大客户美光、东芝、英特尔等扩大存储器封测委外代工，力成第2季营收102.44亿元（新台币，下同），毛利率达18.7％并创下3年来新高，归属母公司税后净利9.27亿元，每股净利1.20元，优于市场预期。力成7月营收达34.66亿元，创下今年来新高。

法人表示，力成挤身英特尔固态硬盘（SSD）、苹果iPhone 6S/6S Plus的存储器封测供应链，第3季营运将温和成长，今年营收则维持逐季成长趋势，预估今年全年营收将回升到2012年的水平，下半年获利优于上半年，明年受惠于西安厂开始量产，明年营收将创下历史新高。