存储器芯片是智能手机、平板电脑、可穿戴设备等各种智能终端产品不可或缺的关键器件。然而，我国一直是全球集成电路领域最大贸易逆差国，每年进口额超过两千亿美元，其中，存储器芯片是国内集成电路产业链的主要短板，长期以来市场一直被海外巨头牢牢把握。以DRAM和NAND Flash两种主要存储芯片为例，今年第一季度，DRAM市场93％份额由韩国三星、海力士和美国美光科技三家占据，而NAND Flash市场几乎全部被 三星、海力士、东芝、闪迪、美光和英特尔等六家瓜分。
        大力发展存储器不仅是市场需求，同时也是信息安全和产业安全的战略需要。国家集成电路产业投资基金总裁丁文武在论坛上表示，应该把发展存储器芯片作为国家战略来实施。
        为打破“缺芯之痛”，国内多地开始斥巨资布局存储器芯片研发生产领域。目前，北京、武汉、晋江等地发展存储器产业的积极性高涨，各种资金也加速向这一领域汇集。
        一期投资370亿元的福建晋华存储器集成电路生产线项目在福建晋江开工。该项目着力打造具有自主知识产权的世界级存储器集成电路产业链，预计于2018年9月形成月产6万片12寸晶圆的生产规模，项目建成后将填补我国主流存储器集成电路产业空白。
        之前，北京紫光集团旗下同方国芯宣布计划定增800亿元，投入存储芯片工厂和上下游产业链布局；另外在武汉，今年3月下旬，总投资约1600亿元人民币的存储器基地项目在东湖高新区正式启动，计划到2020年实现月产能30万片晶圆的生产规模。以此测算，这三家企业在存储器芯片方面的投资总额将超过2700亿人民币。
         叶甜春表示，国内企业在当前新形势下发展存储器产业，不应只是简单追赶，而要更加注重技术原创和市场创新；应做好长期准备，在资金上确保持续投入；另外，更为关键的是，要在立足自身市场特点的基础上追求世界领先水平。

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