受惠于智能手机内置存储容量翻倍提升，以及Flash原厂2D NAND转3D NAND空窗期的影响，2016年NAND Flash供应持续紧张，NAND Flash产品价格整体从Q2全面回升，涨势一直延续到年底，其中主流SSD价格涨幅超过40%，eMMC最高涨幅更是逼近60%，上涨幅度之快，持续之久，出乎市场的意料。

那么，2017年闪存市场又将会迎来什么样的变化呢？

在NAND Flash供应端，自从三星成功量产3D NAND，3D NAND迅速成为各家必争的制高点，美光、东芝/西部数据（WD SanDisk）、SK海力士，甚至英特尔也加入到3D NAND。但大部分原厂在2D NAND到3D NAND的切换阶段都经历了产能和成本的阵痛期，三星最早投入3D NAND，到2016年底生产比重才突破35%，东芝、美光、SK海力士几家占比更是不到10%，从而导致3D NAND上市延后。

在熬过1年的撞墙期后，2017年各家原厂纷纷将3D技术提升到64层堆叠，同时三星西安厂/Fab 17/Fab 18、东芝Fab 2、美光F10x、SK海力士M14都将在2017年全面进入3D NAND量产阶段，原厂3D NAND产能竞赛可谓一触即发。2017年Flash原厂3D NAND技术规划：

● 三星：64层V-NAND产品，三星已经开始了样品的测试和小规模试产，预计在2017年Q1开始放大试产规模，预计V-NAND产能的占比在2017年Q1将达到45%。

● 东芝/西部数据(WD SanDisk)：2016下半年宣布3D技术向64层提升，年底已小量生产。2017年会把生产主力切换到64层3D NAND量产。

● SK海力士：2017年计划提升至72层3D NAND量产，将在Q1推出样品，Q2开始小批量生产。

      ● 美光：64层3D NAND已于2016年12月送样，2017年将逐步进入量产阶段。

需求端，2016年SSD和智能手机市场NAND Flash需求的强势增长已经弥补了其他消费类电子市场需求的相对平淡。2017年高端旗舰机手机在3D NAND发展和苹果iPhone 7引领向256GB提升的推动下，将向更高容量升级，预计将消耗42%的NAND Flash产能。

特别注意的是SSD无论在消费类市场还是企业级市场，已经成了一枝独秀持续增长的生力军，中国闪存市场ChinaFlashMarket预计2017年SSD存储密度将进一步持续增加至690亿GB当量，较2016年增长57%，有机会取代嵌入式产品成为NAND Flash最大的应用市场，也是Flash原厂和主要模组厂商、OEM厂商等必争之地，市场竞争也将再次升级。

    伴随着Flash原厂扩大3D NAND量产规模，大数据和核心应用继续快速增长，相信2017年是存储产业整体快速增长的一年。而任何一个时代的变迁都会孕育出一批伟大的公司，期待着NAND Flash朝气蓬勃的发展，中国闪存市场ChinaFlashMarket也期待着更多精彩故事上演。

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