3D架构是未来转向  传统NAND技术将达瓶颈

传统平面型NAND Flash技术架构在纳米制程不断下降时，同时也面临物理极限挑战，市场认为3D存储器架构是转型方向，但技术架构挑战仍相当严峻。美商应用材料(Applied Materials)日前突破3D存储器结构的制程挑战，推出Applied Centura Avatar介电层蚀刻系统，日前已供货30组给客户，主要是用于下世代存储器芯片的试产。
应用材料公司推出先进的蚀刻技术 ─ Applied Centura Avatar介电层蚀刻系统，这项突破性的系统是解决建立3D记忆体架构的严峻挑战；3D记忆体架构可提供高密度兆位元储存容量，为未来资料密集型行动装置所必需。
应用材料公司副总裁暨蚀刻事业群总经理琶布．若杰（Prabu Raja）博士表示：「3D记忆体结构必须在复杂的多层材料堆叠中进行深度的特徵结构蚀刻，Avatar系统利用我们在电浆领域的领导技术，解决3D记忆体结构的製程挑战。客户对于新系统的突破性功能非常感兴趣，我们已售出超过30组系统给多家客户，用于各项重要应用，其中包括未来记忆体晶片的试产。」
Avatar系统为全新设计，可在3D NAND记忆体阵列进行既深且窄的蚀刻，这些3D阵列是令人振奋的新型快闪记忆体装置，有多达64层垂直建立的记忆单元，可在小面积内建立极高的位元密度。
Avatar系统可在复合薄膜堆叠层中进行孔洞性蚀刻及沟槽性蚀刻，深宽比可高达80:1，以形状比例来形容的话，美国华盛顿纪念碑的深宽比是10:1高（台北101大楼约9:1）。此外，该系统是第一款具备能同时蚀刻深度变化落差极大的特徵结构功能的系统，对于製造连接外界与各层记忆单元的「阶梯式」接触结构非常重要。
在7月10日到12日的美西国际半导体展2012展期间，应用材料公司将展出Avatar系统等数种全新晶片製造技术。
NAND Flash存储器市场市场发展可观，这几年呈现倍数成长，根据市调机构Gartner统计指出，2005、2006和2007年全球NAND Flash产业晶圆成长率分别为42%、81%和35%，2011和2012年成长率也分别达24%和15%，NAND Flash产业在2011~2016年期间的复合成长率也达到13.6%，是所有存储器产品中成长率最高者。
传统NAND Flash存储器是平面式架构技术，此种技术几乎只剩下2个世代就会面临物理和电气限制的挑战，因此有了采垂直的3D存储器结构概念的出现，目前几乎所有的Flash制造商都已投入3D存储器技术的开发，且认同为下世代存储器技术解决方案。但3D存储器技术架构仍有许多严峻挑战需克服，设备厂也加入共同开发新设备的行列，加速3D存储器的普及，扩展未来行动装置对于存储器大量的需求性。